生活中有很多的孩子都會被小兒腦癱這種疾病所困擾，小兒腦癱這種疾病的發(fā)病率也是比較高的，小兒腦癱這種疾病發(fā)生后大家不僅要及時(shí)的給孩子進(jìn)行治療，也一定要更多了解關(guān)于引起小兒腦癱的相關(guān)原因，那么小兒腦癱的引發(fā)原因是什么?

一、遺傳因素：

1、當(dāng)染色體出現(xiàn)數(shù)目畸變或結(jié)構(gòu)畸變、基因突變或先天性代謝缺陷時(shí)就可產(chǎn)生先天性畸形，表現(xiàn)出個體的發(fā)育異常。近年來的研究認(rèn)為，遺傳因素在腦性癱瘓中影響越來越大。某些患兒可追溯出家族遺傳病史，在同輩或上輩的母系及父系家族中有腦癱、智力障礙或先天畸形等。

2、妊娠期因素母體遭受感染，化學(xué)因素許多藥物和環(huán)境污染物對胎兒發(fā)育有致畸作用。這和藥物的性質(zhì)、毒性、劑量、給藥方式、作用時(shí)間等有關(guān)，也和胚胎月齡有關(guān)。致畸藥物的種類繁多，常見的有：抗腫瘤藥、抗凝血藥、有機(jī)汞、酒精等。家庭裝修中的甲醛、苯類對人類危害越來越普遍。氨基糖苷類抗生素應(yīng)用產(chǎn)生的毒性損害很常見。

3、胚胎在母體宮內(nèi)發(fā)育時(shí)，極易受外界環(huán)境因素如物理、化學(xué)或生物因子的影響，尤其對8周以內(nèi)的胚胎更為敏感，引起胚胎的分化發(fā)育障礙，產(chǎn)生先天性畸形。

二、物理因素：

1、放射線x線和放射性同位素的α、β、γ射線對人胚神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。家電、手機(jī)、計(jì)算機(jī)的廣泛應(yīng)用，對人類的傷害越來越大，特別是胚胎發(fā)育期。

2、高溫高溫對早期胚胎神經(jīng)系統(tǒng)發(fā)育有致畸作用。當(dāng)受精后20～28天內(nèi)，孕婦如發(fā)燒至39℃以上時(shí)，胎兒容易出現(xiàn)后頭部腦疝畸形，而在妊娠4～14周時(shí)孕婦接觸高溫后，胎兒出生后可出現(xiàn)精神呆滯，肌張力低下等中樞神經(jīng)系統(tǒng)損害。

由此可見，小兒腦癱這種疾病的引發(fā)原因還是比較多的，希望以上介紹的這些靈體因素能夠給更多的家長朋友們帶來幫助，生活中做好預(yù)防工作，減少小兒腦癱這種疾病的發(fā)生，給孩子帶來的傷害。